• Sistemas PECVD de deposición.
• Sistemas de deposición por goteo.
• Sistemas de deposición mediante haz de electrones.
• Sistemas de deposición mediante haz de iones.
• Cámaras cerradas para la carga del substrato.
• Sistemas multicámara con una o varias de las técnicas anteriores.
• Sistemas modulares expandibles.

• Aplicaciones : micropelículas de semiconductores y dieléctricos, como son a-Si:H, µc-Si:H, a-SixCy:H, µc-SixNy:H, a-C:h, DLC.
• Capacidades UHV (alto vacio, 10E-9 mbar).
• Excitación de plasma remota o directa, mediante RF, VHF, MW, o ECR.
• Hot Wire CVD adicional o dedicado.
• Tamaños del substrato desde 10 cm x 10 cm hasta 30 cm x 30 cm.
• Temperatura de proceso : estándard hasta 400ºC, opcionalmente hasta 1500ºC.
• Proceso modular con control de flujo de masa.
• Control automático de la presión del proceso mediante válvula de admisión y manómetro capacitivo.
• Bombeo turbomolecular para obtención de vacio durante y al final del proceso.
• Garantia de calidad y homogeneidad en el material depositado.

• Excitación de plasma por microondas.
• Temperatura del substrato de hasta 1500ºC.
• Distancia fuente-substrato de 1 a 30 cm.
• Cámara refrigerada por agua.

• Control del flujo de masa.
• Cierres electroneumáticos y válvulas de purga.
• Válvulas manuales de emergencia.
• Diseño compacto y modular.

• Capacidades UHV (10E-10 mbar) o HV (10E-8 mbar).
• Tamaños del substrado desde 5 cm x 5 cm hasta 30 cm x 30 cm.
• Temperatura de proceso : desde temperatura ambiente, hasta 1500ºC.
• Fuentes de deposición (solos o combinados):
  • Haz de electrones de crisol único o multicrisol (6, 10 y 15 kW).
  • Cátodos de magnetrón.
  • Haz de iones.
• Rotación del substrato caliente a velocidad variable.
• Bombeo turbomolecular / criogénico / TSP.
• Aplicaciones : metales, materiales ópticos, materiales superconductores, etc.
• El proceso garantiza unas propiedades de los materiales óptimas, y recubrimientos homogéneos.

• Cuatro crisoles giratorios que producen haces de electrones de 6 kW.
• Controlador de grosor de cristal de cuarzo.
• Ciclo de deposición automático / semiautomático.
• Bombeo turbomolecular / TSP (10E-10 mbar).

• Múltiples cátodos de magnetrón.
• Fuente de haz iones para grabado del substrato.
• Monitor de grosor de cristal de cuarzo.
• Ciclo de deposición manual.
• Calentamiento y rotación del substrato.
• Bombeo criogénico.

• Varias cámaras de proceso (hasta 7) basadas en una o más tecnologias (PECVD, HWCVD, etc.).
• Transferencia del substrato, bajo alto vacio, de una cámara a otro, en cualquier orden.
• Cámara hermética para cargar el subtrato bajo alto vacio.
• Unidades de bombeo individuales para cada cámara de proceso, para evitar contaminación.
• Tamaño del substrato desde 10 cm x 10 cm hasta 30 cm x 30 cm.
• Control manual o automático del brazo robótico para cargar y transferir el substrato.
• Control automático o semiautomático por PC y/o PLC, de los ciclos de deposición y vacio.
• Aplicaciones : dispositivos multicapa basados en a-Si:H, µc-Si:H, a-SixCy:H, µc-SixNy:H,µc-SixCy:H (celulas solares, sensores, LEDs, TFTs, etc.) .
• El proceso garantiza unas óptimas propiedades específicas de los dispositivos (materiales semiconductores, dispositivos electrónicos, metales, materiales ópticos, etc.).

• Hasta 7 cámares de proceso PECVD/HWCVD.
• Alto vacio (UHV) en las cámaras de proceso.
• Alto vacio (HV) en la cámara de transferencia.
• Eficiencia de las células solares superior al 10%
• Multitud de sistemas multicámara PECVD/HWCVD instalados y comprobados.

• Generador de radiofrecuenca (RF), red de comparación, interruptor RF y monitorización de voltaje de RF.
• Control de temperatura.
• Controladores de bombas turbomoleculares Elettrorava.
• MFCs.
• Controles de las válvulas de admisión y de la presión.
• Unidades de monitorización del vacio.